Open AccessОпределение зонной диаграммы гетероперехода InAs-=SUB=-1-y-=/SUB=-Sb-=SUB=-y-=/SUB=-/InAsSbP в интервале составов y<0.2
Author(s) -
K. D. Moiseev,
V. V. Romanov
Publication year - 2021
Publication title -
fizika tverdogo tela
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7498
pISSN - 0367-3294
DOI - 10.21883/ftt.2021.04.50712.260
Subject(s) - materials science , antimony , crystallography , chemistry , metallurgy
Гетероструктуры n + -InAs/n 0 -InAs 1-y Sb y /p-InAsSbP с асимметричными отсечками зон на гетерограницах активной области были выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках InAs. В прямой ветви вольтамперных характеристик полученных гетероструктур при низких температурах наблюдались участки с туннельной проводимостью. Проведен расчет зонной энергетической диаграммы двойной гетероструктуры InAs/InAs 1-y Sb y /InAsSbP в диапазоне составов (y<0.2) узкозонной активной области. Было показано, что гетеропереход InAs 1-y Sb y /InAsSbP является гетеропереходом II типа в данном диапазоне составов. Наблюдаемая в эксперименте электролюминесценция для гетероструктур n + -InAs/n 0 -InAs 1-y Sb y / p-InAsSbP с активной областью в интервале составов y>0.14 была обусловлена интерфейсными излучательными переходами с участием локализованных дырочных состояний на гетерогранице II типа. Ключевые слова: гетеропереходы, МОГФЭ, электролюминесценция, антимониды, InAs.