Open AccessСпин-поляризованный электрический ток в нанокомпозите Cd-=SUB=-48.6-=/SUB=-Mn-=SUB=-11.4-=/SUB=-As-=SUB=-40-=/SUB=-
Author(s) -
L. A. Saipulaeva,
Z. Sh. Pirmagomedov,
M. M. Gadzhialiev,
А. Г. Алибеков,
N. V. Melnikova,
В. С. Захвалинский,
A. I. Ril,
С. Ф. Маренкин
Publication year - 2021
Publication title -
fizika tverdogo tela
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7498
pISSN - 0367-3294
DOI - 10.21883/ftt.2021.04.50706.243
Subject(s) - manganese , crystallography , chemistry , materials science , metallurgy
В нанокомзозите Cd 48.6 Mn 11.4 As 40 в интервале температур 10-350 K впервые измерены температурные зависимости электросопротивления и намагниченности. Показано, что электрофизические свойства Cd 48.6 Mn 11.4 As 40 обусловлены спиновой поляризацией собственных электронов в матрице Cd 3 As 2 спин-поляризованными электронами, инжектируемыми в нее из ферромагнитных нанокластеров MnAs. С ростом намагниченности всего образца, угол между намагниченностями отдельных нанокластеров уменьшается и спин-поляризованный ток возрастает. Кроме того, повышение концентрации собственных носителей в матрице приводит к увеличению спин-поляризованного тока. Эта концепция подтверждается и измерениями вольтамперных характеристик (ВАХ) при напряжениях до 5 V при температурах как ниже критической температуры образования кластерного стекла T cg =241 (при 77 и 172 K), так и выше нее (при 273.15 и 373.15 K), которые обнаруживают отклонение от омичности, возрастающее с напряжением. Это означает, что чем больше спиновая поляризация собственных электронов в Cd 3 As 2 , вследствие увеличения инжекции спин-поляризованных электронов из MnAs с напряжением, тем больше ток. Ключевые слова: спин, нанокомпозиты, вольт-амперные характеристики, сопротивление, спиновая поляризация, полупроводники, спиновая инжекция, намагниченность.