Open AccessИсследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия beta-Ga-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-
Author(s) -
Elizaveta Ivanova,
P. A. Dementev,
М.В. Заморянская,
D. A. Zakgeim,
D.I. Panov,
V. A. Spiridonov,
A. V. Kremleva,
М.А. Одноблюдов,
D. A. Bauman,
А. Е. Романов,
V. E. Bugrov
Publication year - 2021
Publication title -
fizika tverdogo tela
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7498
pISSN - 0367-3294
DOI - 10.21883/ftt.2021.04.50705.236
Subject(s) - beta (programming language) , materials science , computer science , programming language
Исследованы объемные образцы beta-Ga 2 O 3 , выращенные методом Чохральского. На основании исследований динамики поглощенного тока и катодолюминесценции было показано, что в образце наблюдается локализация заряда обоих знаков. Продемонстрировано, что локализация электронов приводит к существенному уменьшению интенсивности катодолюминесценции. Ключевые слова: объемный оксид галлия, люминесценция, ловушки носителей заряда.