Резонансное рассеяние света оптическими фононами в гомоэпитксиальном нанослое n-GaP, выращенном на подложке (001)n-GaP

Представлены результаты обнаружения резонансного усиления интенсивности рассеяния света оптическими фононами в гомоэпитаксиальном наномасштабном слое n-GaP, толщиной 70 nm, выращенном методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на проводящей сильнолегированной подложке кристалла n-GaP, ориентированной по оси (001). Показано, что при комнатной температуре в спектре рамановского рассеяния света такого нанослоя (001) n-GaP в образце n-GaP/n-GaP (001) в сравнении со спектром высокоомного кристаллического образца (001) si-GaP в диапазоне частот от 600 до 800 cm -1 удается обнаружить достаточно узкие полосы линий рассеяния света второго порядка. Установлено, что такие полосы обусловлены суммарными комбинациями и обертонами поперечных TO() и продольных LO() оптических фононов, с волновыми векторами соответствующими точкам Sigma, K, Х, L и зоны Бриллюэна кристалла GaP. Показано, что рассеяние света носит резонансный характер, и обусловлено присутствием примесей вследствие проявления экситон-фононного взаимодействия. Ключевые слова: гомоэпитаксиальный наномасштабный слой (001) n-GaP, сильнолегированная подложка, резонансное двухфононное рассеяние.