Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs | Zendy

О. В. Вихрова | Zendy; Ю.А. Данилов | Zendy; Б. Н. Звонков | Zendy; П. Б. Демина | Zendy; М. В. Дорохин | Zendy; И. Л. Калентьева | Zendy; А. В. Кудрин | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs

Author(s) -

О. В. Вихрова,

Ю.А. Данилов,

Б. Н. Звонков,

П. Б. Демина,

М. В. Дорохин,

И. Л. Калентьева,

А. В. Кудрин

Publication year - 2017

Publication title -

физика твердого тела

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7498

pISSN - 0367-3294

DOI - 10.21883/ftt.2017.11.45060.09k

Subject(s) - gallium arsenide , materials science , condensed matter physics , optoelectronics , physics

Исследованы излучательные и магнитные свойства гетероструктур нового типа с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs. Установлено наличие циркулярной поляризации электролюминесцентного излучения в диапазоне температур от 10 до 160 K. Магнитополевые зависимости степени циркулярной поляризации являются нелинейными с петлей гистерезиса при температурах от 10 до 50 K, при более высоких температурах они становятся линейными. Величина поляризации при насыщении намагниченности GaMnAs в поле 2000 Oe сохраняется на уровне ~ 0.2%. Работа выполнена в рамках реализации государственного задания (проект N 8.1751.2017/ПЧ Минобрнауки России) при финансовой поддержке РФФИ (гранты N 15-02-07824\_а, 16-07-01102\_а, 17-37-80008\_мол\_эв\_а), стипендии (конкурс СП-2015) и гранта Президента Российской Федерации (N МК-8221.2016.2). DOI: 10.21883/FTT.2017.11.45060.09k

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research