Open AccessИзлучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs
Author(s) -
О. В. Вихрова,
Ю.А. Данилов,
Б. Н. Звонков,
П. Б. Демина,
М. В. Дорохин,
И. Л. Калентьева,
А. В. Кудрин
Publication year - 2017
Publication title -
fizika tverdogo tela
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7498
pISSN - 0367-3294
DOI - 10.21883/ftt.2017.11.45060.09k
Subject(s) - gallium arsenide , materials science , condensed matter physics , optoelectronics , physics
Исследованы излучательные и магнитные свойства гетероструктур нового типа с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs. Установлено наличие циркулярной поляризации электролюминесцентного излучения в диапазоне температур от 10 до 160 K. Магнитополевые зависимости степени циркулярной поляризации являются нелинейными с петлей гистерезиса при температурах от 10 до 50 K, при более высоких температурах они становятся линейными. Величина поляризации при насыщении намагниченности GaMnAs в поле 2000 Oe сохраняется на уровне ~ 0.2%. Работа выполнена в рамках реализации государственного задания (проект N 8.1751.2017/ПЧ Минобрнауки России) при финансовой поддержке РФФИ (гранты N 15-02-07824\_а, 16-07-01102\_а, 17-37-80008\_мол\_эв\_а), стипендии (конкурс СП-2015) и гранта Президента Российской Федерации (N МК-8221.2016.2). DOI: 10.21883/FTT.2017.11.45060.09k