Open AccessМетоды управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-/CoPt
Author(s) -
М. В. Дорохин,
Maryna Ved,
П.Б. Дёмина,
А. В. Здоровейщев,
А. В. Кудрин,
Андрей Васильевич Рыков,
Ю.М. Кузнецов
Publication year - 2017
Publication title -
fizika tverdogo tela
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7498
pISSN - 0367-3294
DOI - 10.21883/ftt.2017.11.45050.13k
Subject(s) - materials science , gallium arsenide , crystallography , optoelectronics , chemistry
Исследована спиновая инжекция в спиновых светоизлучающих диодах (ССИД) CoPt/Al 2 O 3 /(Al)GaAs. Обнаружены осцилляции степени циркулярной поляризации при варьировании расстояния между активной областью ССИД и CoPt ферромагнитным инжектором. Осцилляции не зависят от материала ССИД (GaAs или AlGaAs), а также от типа инжектированных спин-поляризованных носителей (электроны или дырки), и связываются с действием перпендикулярного магнитного поля на инжектированные спин-поляризованные носители, которое обусловливает их прецессию. В процессе переноса к активной области на расстоянии 50-100 nm от инжектора z-компонента спина меняет фазу, в эксперименте это регистрируется как изменение знака степени циркулярной поляризации электролюминесценции. Предположительно, источником внутреннего магнитного поля, приводящего к спиновой прецессии, является магнитное поле неоднородно намагниченного контакта CoPt. Работа выполнена в рамках реализации государственного задания --- проект N 8.1751.2017/ПЧ Минобрнауки России, при поддержке РФФИ (гранты N 15-02-07824\_а, 16-07-01102\_а и 17-37-80008\_мол\_эв\_а), стипендии (конкурс СП-2015) и гранта (МК-8221.2016.2) президента Российской Федерации. DOI: 10.21883/FTT.2017.11.45050.13k