
Полевой эффект в графене при интерфейсном контакте с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия
Author(s) -
А.В. Бутко,
В.Ю. Бутко,
С.П. Лебедев,
А.А. Лебедев,
Ю.А. Кумзеров
Publication year - 2017
Publication title -
fizika tverdogo tela
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7498
pISSN - 0367-3294
DOI - 10.21883/ftt.2017.10.44981.097
Subject(s) - computer science
Для создания новых перспективных химических сенсоров большое значение имеет исследование влияния на транзисторные характеристики графена его интерфейса с водными растворами кислот и щелочей. Созданы и исследованы транзисторные структуры на основе графена, выращенного путем термического разложения карбида кремния. Для интерфейса графена с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия в транзисторной геометрии при изменении напряжения между затвором и истоком обнаружен полевой эффект, соответствующий дырочному типу носителей заряда в графене. Установлено, что увеличение концентрации молекулярных ионов в данных растворах приводит к усилению зависимости сопротивления транзистора от напряжения на затворе. Работа частично поддержана РФФИ (проект N 14-02-01212) и РНФ (проект N 15-12-00027). DOI: 10.21883/FTT.2017.10.44981.097