z-logo
open-access-imgOpen Access
Исследование валентного перехода в системе О-=SUB=-2-=/SUB=--Yb-Si(111) с помощью метода фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением
Author(s) -
M. Kuzmin,
М. А. Митцев
Publication year - 2017
Publication title -
физика твердого тела
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7498
pISSN - 0367-3294
DOI - 10.21883/ftt.2017.10.44976.106
Subject(s) - ytterbium , materials science , optoelectronics , doping
С помощью метода фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением проведены исследования структур Yb-Si(111) и O 2 -Yb-Si(111) и получены данные о распределение двух- и трехвалентных ионов в нанопленках иттербия в случае, когда адсорбированный слой молекул на их поверхности еще не полностью сформирован и валентный переход Yb 2+ ->Yb 3+ не завершен. Показано, что распределение ионов Yb 2+ и Yb 3+ вглубь нанопленок близко к изотропному и что его протяженность составляет 9 или более монослоев. Полученные результаты свидетельствуют о том, что в формировании 5d-зоны иттербия, стимулированном адсорбированными молекулами, участвуют все атомы нанопленки, подтверждая предположения, сделанные в более ранних публикациях. DOI: 10.21883/FTT.2017.10.44976.106

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.
Having issues? You can contact us here
Accelerating Research

Address

John Eccles House
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom