
Исследование валентного перехода в системе О-=SUB=-2-=/SUB=--Yb-Si(111) с помощью метода фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением
Author(s) -
M. Kuzmin,
М. А. Митцев
Publication year - 2017
Publication title -
fizika tverdogo tela
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7498
pISSN - 0367-3294
DOI - 10.21883/ftt.2017.10.44976.106
Subject(s) - ytterbium , materials science , optoelectronics , doping
С помощью метода фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением проведены исследования структур Yb-Si(111) и O 2 -Yb-Si(111) и получены данные о распределение двух- и трехвалентных ионов в нанопленках иттербия в случае, когда адсорбированный слой молекул на их поверхности еще не полностью сформирован и валентный переход Yb 2+ ->Yb 3+ не завершен. Показано, что распределение ионов Yb 2+ и Yb 3+ вглубь нанопленок близко к изотропному и что его протяженность составляет 9 или более монослоев. Полученные результаты свидетельствуют о том, что в формировании 5d-зоны иттербия, стимулированном адсорбированными молекулами, участвуют все атомы нанопленки, подтверждая предположения, сделанные в более ранних публикациях. DOI: 10.21883/FTT.2017.10.44976.106