"Отрицательная" щель в спектре локализованных состояний (In-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-)-=SUB=-0.9-=/SUB=-(SrO)-=SUB=-0.1-=/SUB=-

Исследованы спектры отражения R(homega), пропускания t(homega), поглощения alpha(homega) и преломления n(homega) поликристаллических образцов In 2 O 3 -SrO с низкой оптической прозрачностью, содержащих кристаллиты In 2 O 3 и In 2 SrO 4 с прослойками In 4 SrO 6+delta . В области малых homega коэффициент отражения уменьшается с ростом сопротивления образцов при их насыщении кислородом. С помощью соотношений классической электродинамики рассчитаны спектральные зависимости n(homega) и alpha(homega). Результаты сопоставлены с данными, полученными на основе спектров t(homega). Расчетные спектры поглощения интерпретируются в рамках модели, предполагающей перекрытие хвостов плотности состояний валентной зоны и зоны проводимости с образованием "отрицательной" щели в плотности состояний, E gn =--0.5pt- 0.12- --0.5pt- 0.47 eV, при сильном разупорядочении структуры образцов. Показано, что, наряду с высокой концентрацией дефектов, важнейшую роль в размытии края поглощения и сдвиге его в область малых энергий играет зона глубоких акцепторных состояний стронция в основной матричной фазе In 2 O 3 . Определена прямая щель E gd =1.3 eV, относящаяся к фазе In 2 SrO 4 . Обсуждается зонная энергетическая диаграмма и роль туннелирования, снижающего пороговую энергию для межзонных оптических переходов. DOI: 10.21883/FTT.2017.08.44762.405