Структурные, оптические и электрические свойства тонких пленок Cu-=SUB=-2-=/SUB=-SnS-=SUB=-3-=/SUB=-, полученных золь-гель-методом

Представлен комплексный анализ структурных, оптических и электрических свойств тонких пленок Cu 2 SnS 3 p-типа электропроводности, полученных путем нанесения на подложки золь-гель-раствора на основе диметилсульфоксида методом центрифугирования с последующей термообработкой сформированных слоев. Проанализированы режимы формирования пленок с использованием низкотемпературной кратковременной обработки в открытой атмосфере и конечного отжига в низком вакууме (0.1 Pa). С помощью рентгеновского фазового анализа определены размеры кристаллитов D~42 nm в поликристаллических пленках. Подтвержден их состав на основе спектров комбинационного рассеяния и данных энергодисперсионного рентгеновского анализа. В результате исследований пропускания и поглощения света определена оптическая ширина запрещенной зоны для прямых разрешенных (E g d ~1.25 eV) и прямых запрещенных (E g df ~0.95 eV) оптических переходов. На основании анализа электрических свойств с использованием модели для поликристаллических материалов установлена пригодность полученных пленок с удельным сопротивлением rho~0.21 Omega·cm, концентрацией дырок p 0 ~1.75·10 19 cm -3 и эффективной подвижностью mu p ~1.67 cm 2 /(V·s) для изготовления солнечных элементов. DOI: 10.21883/FTT.2017.04.44283.354