Анизотропия длин свободного пробега фононов в монокристаллических пленках Ge, Si, алмаза при низких температурах

Рассмотрены физические аспекты влияния анизотропии упругой энергии кристаллов на анизотропию длин свободного пробега фононов в монокристаллических пленках Ge, Si, алмаза при диффузном рассеянии фононов на границах. Показано, что длины свободного пробега фононов для достаточно широких пленок Ge, Si, алмаза с ориентациями \100\ и \111\ и длинами пленок, меньшими или равными их ширины, являются изотропными (не зависят от направления градиента температуры в плоскости пленки). А анизотропии длин пробега фононов зависит главным образом от ориентации плоскости пленки и определяется фокусировкой и дефокусировкой фононных мод. Для пленок Ge, Si, алмаза с ориентациями \100\ и \111\ и длинами пленок, гораздо больших их ширины, длины свободного пробега фононов становятся анизотропными. Работа выполнена в рамках государственного задания ФАНО России (тема "Спин" N 01201463330) при поддержке Программы УрО РАН (проект N 15-17-2-17) и Минобрнауки РФ (грант N 14.Z50.31.0025). DOI: 10.21883/FTT.2017.04.44267.294