Линейно-циркулярный дихроизм в полупроводнике со сложной валентной зоной с учетом четырехфотонного поглощения света | Zendy

Р.Я. Расулов | Zendy; В.Р. Расулов | Zendy; И.М. Эшболтаев | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Линейно-циркулярный дихроизм в полупроводнике со сложной валентной зоной с учетом четырехфотонного поглощения света

Author(s) -

Р.Я. Расулов,

В.Р. Расулов,

И.М. Эшболтаев

Publication year - 2017

Publication title -

физика твердого тела

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7498

pISSN - 0367-3294

DOI - 10.21883/ftt.2017.03.44153.215

Subject(s) - computer science

Теоретически исследован линейно-циркулярный дихроизм многофотонного поглощения света в полупроводниках со сложной валентной зоной. Рассчитаны матричные элементы оптических переходов, протекающих между подзонами валентной зоны полупроводника типа p-GaAs. При этом учтены переходы, связанные как с неодновременным поглощением отдельных фотонов, так и одновременным поглощением двух фотонов. Получено выражение для температурной зависимости коэффициента многофотонного поглощения поляризованного излучения, где учтены оптические переходы между подзонами тяжелых и легких дырок полупроводника. DOI: 10.21883/FTT.2017.03.44153.215

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research