Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния | Zendy

В.В. Антипов | Zendy; С.А. Кукушкин | Zendy; А.В. Осипов | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния

Author(s) -

В.В. Антипов,

С.А. Кукушкин,

А.В. Осипов

Publication year - 2017

Publication title -

физика твердого тела

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7498

pISSN - 0367-3294

DOI - 10.21883/ftt.2017.02.44067.288

Subject(s) - materials science

Впервые выращен эпитаксиальный теллурид кадмия толщиной 1-3 mum на кремнии с буферным слоем карбида кремния методом открытого термического испарения и конденсации в вакууме. Оптимальная температура подложки составила 500 o C при температуре испарителя 580 o C, время роста 4 s. Для более качественного роста теллурида кадмия на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом топохимического замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~100 nm. Эллипсометрический, рамановский, рентгеновский и электронографический анализ показали высокое структурное совершенство слоя CdTe и отсутствие поликристаллической фазы. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант N 14-12-01102). Исследования проводились при использовании оборудования Уникальной научной установки (УНО) "Физика, химия и механика кристаллов и тонких пленок" ФГУН ИПМаш РАН. DOI: 10.21883/FTT.2017.02.44067.288

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research