Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода | Zendy

Н. А. Соболев | Zendy; А.Е. Калядин | Zendy; П. Н. Аруев | Zendy; В. В. Забродский | Zendy; E. I. Shek | Zendy; K. F. Shtel’makh | Zendy; K. V. Karabeshkin | Zendy

Open Access

Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода

Author(s) -

Н. А. Соболев,

А.Е. Калядин,

П. Н. Аруев,

В. В. Забродский,

E. I. Shek,

K. F. Shtel’makh,

K. V. Karabeshkin

Publication year - 2016

Publication title -

физика твердого тела

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7498

pISSN - 0367-3294

DOI - 10.21883/ftt.2016.12.43865.199

Subject(s) - materials science , physics , chemistry

Исследованы фотолюминесцентные свойства (113) дефектов, образующихся в Si-структуре после имплантации ионов кислорода с энергией 350 keV и дозами 1.7·10 13 -1.7·10 15 cm -2 и последующего отжига при 700 o C в течение 0.5-2 h в хлорсодержащей атмосфере. Независимо от дозы имплантации и времени отжига в спектрах фотолюминесценции доминирует линия с длиной волны 1.37 mum, принадлежащая (113) дефекту. Зависимости интенсивности линии от дозы имплантации и длительности отжига характеризуются кривыми с максимумами. С ростом температуры измерения в диапазоне 64-120 K интенсивность линии монотонно уменьшается. Работа Н.А. Соболева и К.В. Карабешкина частично поддержана грантом РФФИ N 14-08-01256, а работа Е.И. Шек --- грантом РФФИ N 14-02-00152.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research