Open AccessВлияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода
Author(s) -
Н. А. Соболев,
А.Е. Калядин,
П. Н. Аруев,
В. В. Забродский,
Е. И. Шек,
K. F. Shtel’makh,
K. V. Karabeshkin
Publication year - 2016
Publication title -
fizika tverdogo tela
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7498
pISSN - 0367-3294
DOI - 10.21883/ftt.2016.12.43865.199
Subject(s) - materials science , physics , chemistry
Исследованы фотолюминесцентные свойства (113) дефектов, образующихся в Si-структуре после имплантации ионов кислорода с энергией 350 keV и дозами 1.7·10 13 -1.7·10 15 cm -2 и последующего отжига при 700 o C в течение 0.5-2 h в хлорсодержащей атмосфере. Независимо от дозы имплантации и времени отжига в спектрах фотолюминесценции доминирует линия с длиной волны 1.37 mum, принадлежащая (113) дефекту. Зависимости интенсивности линии от дозы имплантации и длительности отжига характеризуются кривыми с максимумами. С ростом температуры измерения в диапазоне 64-120 K интенсивность линии монотонно уменьшается. Работа Н.А. Соболева и К.В. Карабешкина частично поддержана грантом РФФИ N 14-08-01256, а работа Е.И. Шек --- грантом РФФИ N 14-02-00152.