Open AccessЭлектронно-микроскопические исследования образования структурных дефектов в ZnS при облучении электронами с энергией 400 keV
Author(s) -
Ю. Ю. Логинов,
А.В. Брильков,
А.В. Мозжерин
Publication year - 2016
Publication title -
fizika tverdogo tela
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7498
pISSN - 0367-3294
DOI - 10.21883/ftt.2016.12.43860.74
Subject(s) - materials science , in situ , radiochemistry , nuclear chemistry , chemistry , optoelectronics , organic chemistry
Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы кристаллы ZnS, выращенные из газовой фазы, и эпитаксиальные структуры ZnS/(001)GaAs, выращенные методом металлоорганической парофазной эпитаксии, после облучения in situ в электронном микроскопе при энергии электронов 400 keV и интенсивности (1-4)·10 19 e/cm 2 ·s. Показано, что при облучении происходит образование мелких дислокационных петель с размерами 2.5-45 nm и плотностью 1.4·10 11 cm -2 , а также пор и выделений новой фазы с размерами ≤10 nm. Выделения могут быть идентифицированы с помощью анализа муарового контраста как ZnO и ZnO 2 .