Электронно-микроскопические исследования образования структурных дефектов в ZnS при облучении электронами с энергией 400 keV

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы кристаллы ZnS, выращенные из газовой фазы, и эпитаксиальные структуры ZnS/(001)GaAs, выращенные методом металлоорганической парофазной эпитаксии, после облучения in situ в электронном микроскопе при энергии электронов 400 keV и интенсивности (1-4)·10 19 e/cm 2 ·s. Показано, что при облучении происходит образование мелких дислокационных петель с размерами 2.5-45 nm и плотностью 1.4·10 11 cm -2 , а также пор и выделений новой фазы с размерами ≤10 nm. Выделения могут быть идентифицированы с помощью анализа муарового контраста как ZnO и ZnO 2 .