Open AccessТуннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/n-=SUP=-+-=/SUP=--GaAs/(Ga,Mn)As
Author(s) -
Е. И. Малышева,
М. В. Дорохин,
А. В. Здоровейщев,
M. V. Ved
Publication year - 2016
Publication title -
fizika tverdogo tela
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7498
pISSN - 0367-3294
DOI - 10.21883/ftt.2016.11.43738.15k
Subject(s) - gallium arsenide , materials science , manganese , optoelectronics , crystallography , chemistry , metallurgy
Проведено исследование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и инжектором в виде ферромагнитного слоя (Ga,Mn)As. Показана возможность управления эффективностью спиновой инжекции электронов в структуре с туннельным барьером (Ga,Mn)As/n + -GaAs путем варьирования параметров n + -GaAs. Обсуждаются механизмы управления спиновой инжекцией, связанные с термической активацией и туннелированием носителей. Работа выполнена в рамках реализации государственного задания (проекты N 8.1054.2014/К, N 3.285.2014/K, N 3423) Минобрнауки РФ, при поддержке РФФИ (гранты N 15-02-07824\_а, 15-38-20642 мол\_а\_вед и 16-07-01102\_а), а также при поддержке гранта Президента РФ (МК-8221.2016.2).