Open AccessРост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния
Author(s) -
П.В. Середин,
Али Обаид Радам,
Д.Л. Голощапов,
А.С. Леньшин,
Н.С. Буйлов,
К.А. Барков,
Д.Н. Нестеров,
А.М. Мизеров,
С.Н. Тимошнев,
Е.В. Никитина,
И.Н. Арсентьев,
Ш. Шарофидинов,
Л.С. Вавилова,
С.А. Кукушкин,
И.А. Касаткин
Publication year - 2022
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - English
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2022.06.52587.9816
Subject(s) - photoluminescence , materials science , molecular beam epitaxy , raman spectroscopy , silicon carbide , substrate (aquarium) , epitaxy , optoelectronics , silicon , nanotechnology , optics , composite material , layer (electronics) , oceanography , physics , geology
We carried out a structural-spectroscopic study ofAlGaN/GaN epitaxial layers grown by molecular-beam epitaxywith nitrogen plasma activation on a hybrid substrate containinglayers of silicon carbide and porous silicon. Using X-raydiffractometry, Raman and photoluminescence spectroscopy, it isshown that thin films formed on a hybrid substrate have minimalresidual stresses and intense photoluminescence.