Состав и электронная структура скрытых наноразмерных фаз и слоев BaSi-=SUB=-2-=/SUB=-, созданных в приповерхностной области Si

Впервые методом имплантации ионов Ва + с энергией E 0 =20-30 кэВ в приповерхностном слое Si(111) получены наноразмерные фазы и слои BaSi 2 . В частности, показано, что при дозе D~ 10 15 см -2 формируются нанофазы с шириной запрещенной зоны E g ~0.85 эВ, а при D~10 17 см -2 нанослой BaSi 2 с E g =0.67 эВ. Состав и структура наноструктуры дисилицида бария были исследованы спектроскопией поглощения света методами электронной оже-спектроскопии, а рентгеновская морфология поверхности изучалась методом растровой электронной микроскопии. Установлены оптимальные режимы ионной имплантации и отжига для получения наноразмерных фаз и слоев BaSi 2 в приповерхностной области Si. С использованием метода спектроскопии поглощения света оценены ширина запрещенных зон и степень покрытия слоя нанофазами BaSi 2 . Показано, что при дозе D≥ 6·10 16 см -2 формируется нанослой BaSi 2 . Ключевые слова: ионная имплантация, наноструктура, нанофаза, отжиг, дисилицид бария, оже-электроны, степень покрытия.