Open AccessАнизотропные напряжения в слоях GaN(1120) на подложке r-Al-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=- при хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
Author(s) -
В.Н. Бессолов,
Е.В. Коненкова,
Н.В. Середова,
В.Н. Пантелеев,
М.П. Щеглов
Publication year - 2022
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2022.03.52108.9758
Subject(s) - materials science , crystallography , chemistry
Сообщается о росте неполярных GaN(1120) структур методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии с использованием буферного слоя AlN, синтезированного методом эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке r-Al 2 O 3 . Показано, что упругие напряжения в структуре GaN(1120)/r-Al 2 O 3 в направлении осей "c" и "a" слоя различаются, коррелируют с величинами полуширин кривых качания спектров рентгеновской дифракции в этих направлениях и обусловлены анизотропией коэффициентов термического расширения решеток как слоя, так и подложки. Ключевые слова: неполярный нитрид алюминия, анизотропия напряжений в слое.