Высокоэффективные (EQE=37.5&#37;) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями | Zendy

А.В. Малевская | Zendy; Н.А. Калюжный | Zendy; С.А. Минтаиров | Zendy; R. А. Salii | Zendy; Д.А. Малевский | Zendy; М.В. Нахимович | Zendy; В.Р. Ларионов | Zendy; П.В. Покровский | Zendy; М.З. Шварц | Zendy; В.М. Андреев | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Высокоэффективные (EQE=37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями

Author(s) -

А.В. Малевская,

Н.А. Калюжный,

С.А. Минтаиров,

R. А. Salii,

Д.А. Малевский,

М.В. Нахимович,

В.Р. Ларионов,

П.В. Покровский,

М.З. Шварц,

В.М. Андреев

Publication year - 2021

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - English

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2021.12.51709.9711

Subject(s) - heterojunction , optoelectronics , quantum efficiency , diode , distributed bragg reflector , materials science , quantum well , reflector (photography) , light emitting diode , epitaxy , optics , layer (electronics) , physics , nanotechnology , laser , light source , wavelength

Developed and investigated are IR (850nm) light-emitting diodes based on AlGaAs/Ga(In)As heterostructures grown by the MOC-hydride epitaxy technique with multiple quantum wells in the active region and with a double optical reflector consisted of a multilayer Al0.9Ga0.1As/Al0.1Ga0.9As Bragg heterostructure and an Ag mirror layer. Light-emitting diodes with the external quantum efficiency (EQE) of 37.5% at current densities greater than 10A/cm2 have been fabricated.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research