Open AccessНачальные стадии роста полуполярного AlN на наноструктурированной Si(100) подложке
Author(s) -
В.Н. Бессолов,
Е.В. Коненкова,
T.А. Орлова,
С.Н. Родин
Publication year - 2021
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2021.10.51442.41
Subject(s) - materials science , silicon , crystallography , optoelectronics , chemistry
Методом растровой электронной микроскопии изучались начальные стадии формирования полуполярных AlN(1011) и AlN(1012) слоев при эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке Si(100), на поверхности которой сформирована V-образная наноструктура с размером элементов <100 нм (подложка-NP-Si(100)). Показано, что на начальной стадии эпитаксии на подложке-NP-Si(100) происходит формирование зародышевых кристаллов AlN, а затем в зависимости от кристаллографической ориентации V-стенок формируются кристаллы, ограненные плоскостями AlN(1011) на Si(111) или AlN(1012) на Si(111), разориентированном в направлении [110] на 7 o . Ключевые слова: полуполярный нитрид алюминия, наноструктурированная подложка кремния.