Open AccessВлияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO-=SUB=-2-=/SUB=-(Y) с наночастицами Au
Author(s) -
Д. О. Филатов,
М. Е. Шенина,
И.А. Роженцов,
М. Н. Коряжкина,
Arthur Novikov,
И. Н. Антонов,
А. В. Ершов,
А. П. Горшков,
О. Н. Горшков
Publication year - 2021
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2021.09.51290.20
Subject(s) - materials science , crystallography , chemistry
Исследовано влияние оптического излучения видимого диапазона на резистивное переключение в МДП-структурах ITO/ZrO 2 (Y)/n-Si, в том числе с наночастицами Au, встроенными в слой ZrO 2 (Y). Обнаружено, что зависимость ширины логического коридора резистивных состояний от интенсивности фотовозбуждения имеет пороговый характер. При увеличении интенсивности фотовозбуждения выше порогового значения наблюдалось уменьшение ширины логического коридора, предположительно, связанное с разогревом активных слоев МДП-структуры при межзонном поглощении излучения в Si-подложке. Обнаружено подавление резистивных переключений при фотовозбуждении на длине волны 650 нм (соответствующей плазмонному резонансу в наночастицах Au) за счет плазмонного оптического поглощения в наночастицах. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, МДП-структуры, стабилизированный диоксид циркония, наночастицы Au, фоточувствительность.