Подавление эффекта квазинасыщения вольт-амперных характеристик мощных сверхвысокочастотных латеральных транзисторов | Zendy

Р.П. Алексеев | Zendy; М. Я. Черных | Zendy; А. Н. Цоцорин | Zendy; И.В. Семейкин | Zendy; Г.В. Быкадорова | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Подавление эффекта квазинасыщения вольт-амперных характеристик мощных сверхвысокочастотных латеральных транзисторов

Author(s) -

Р.П. Алексеев,

М. Я. Черных,

А. Н. Цоцорин,

И.В. Семейкин,

Г.В. Быкадорова

Publication year - 2021

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - English

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2021.08.51141.9658

Subject(s) - ldmos , materials science , optoelectronics , electrical engineering , transistor , engineering , voltage

Was been performed the analysis of electric parameters of a new generation of RF LDMOS transistors developed by JSC "NIIET". In comparison with the devices of the previous generation was revealed a significant suppression of the effect of quasi-saturation of ID – VG and ID – VD characteristics. Comparison with a foreign-made device shows that the achieved results are close to the world level.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research