Open AccessПрименение метода атомно-слоевого осаждения для получения наноструктурированных покрытий ITO/Al-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-
Author(s) -
Л.К. Марков,
А.С. Павлюченко,
И.П. Смирнова,
М.В. Меш,
Д.С. Колоколов
Publication year - 2021
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2021.04.50742.9574
Subject(s) - materials science
На полученные методом электронно-лучевого испарения наноструктурированные оптически прозрачные и проводящие покрытия из оксида индия + олова методом атомно-слоевого осаждения наносились дополнительные слои Al 2 O 3 нанометровой толщины. Использовались покрытия из оксида индия + олова, содержащие нитевидные кристаллы преимущественно вертикальной ориентации и обладающие эффективным показателем преломления, монотонно убывающим в направлении, перпендикулярном плоскости подложки. Изучалось влияние толщины наносимого слоя Al 2 O 3 на оптические характеристики получаемых образцов. Показано, что применение метода атомно-слоевого осаждения позволяет равномерно покрывать защитными оболочками нитевидные кристаллы наноструктурированных пленок из оксида индия + олова большой толщины, в которых верхние нити затеняют нижележащие, что позволит получать более стойкие к воздействию внешней среды просветляющие проводящие покрытия с требуемыми параметрами. При нанесении защитного слоя Al 2 O 3 сохраняется градиентный характер показателя преломления, присущий исходной пленке ITO. Ключевые слова: метод атомно-слоевого осаждения, наноструктурированные пленки ITO.