Open AccessДиффузия атомов In в пленках SiO-=SUB=-2-=/SUB=-, имплантированных ионами As-=SUP=-+-=/SUP=-
Author(s) -
И.Е. Тысченко,
M. Voelskow,
Сы Чжунбинь,
V. P. Popov
Publication year - 2021
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2021.03.50597.9557
Subject(s) - materials science
Изучена диффузия атомов индия в пленках SiO 2 , предварительно имплантированных ионами мышьяка с разной энергией, в зависимости от температуры последующего отжига. Установлено, что диффузионные свойства индия зависят от присутствия в пленке атомов мышьяка и их энергии. Увеличение концентрации мышьяка в области средних пробегов ионов In + предотвращает диффузию индия к поверхности SiO 2 при высоких температурах отжига и стимулирует диффузию In вглубь в форме одновалентного междоузлия. Обнаруженные эффекты объяснены с точки зрения формирования пар In-As в соседних замещающих положениях в матрице SiO 2 . Ключевые слова: индий, мышьяк, диффузия, оксид кремния, ионная имплантация.