Open AccessСтруктурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния
Author(s) -
П.В. Середин,
Д.Л. Голощапов,
Ю.Ю. Худяков,
И.Н. Арсентьев,
Д.Н. Николаев,
Н.А. Пихтин,
С.О. Слипченко,
H. Leiste
Publication year - 2021
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2021.01.50394.9518
Subject(s) - metalorganic vapour phase epitaxy , materials science , optoelectronics , nanotechnology , epitaxy , layer (electronics)
Цель работы заключалась в исследовании влияния нового типа податливых подложек на основе сверхструктурного слоя (SL) AlGaAs и слоя протопористого кремния (proto-Si), сформированного на c-Si, на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоя GaAs в методе MOCVD. Впервые показано, что низкотемпературный рост эпитаксиальных пленок GaAs высокого кристаллического качества может быть реализован за счет использования податливых подложек SL/proto-Si. Введение SL в состав податливой подложки в дополнение к proto-Si позволяет нивелировать ряд негативных эффектов низкотемпературного роста, снизить уровень напряжений в эпитаксиальном слое, защитить от автолегирования атомами кремния, сократить число технологических операций по росту переходных буферных слоев, улучшить структурные и морфологические характеристики эпитаксиального слоя. Ключевые слова: GaAs, Si, por-Si, сверхструктурный слой.