Open AccessТонкопленочные барорезисторы на основе твердых растворов Sm-=SUB=-1-x-=/SUB=-Gd-=SUB=-x-=/SUB=-S
Author(s) -
В. В. Каминский,
С. М. Соловьев,
N. N. Stepanov,
Г.А. Каменская,
G. D. Khavrov,
С. Е. Александров
Publication year - 2021
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2021.01.50380.9440
Subject(s) - crystallography , materials science , gadolinium , physics , analytical chemistry (journal) , chemistry , metallurgy , chromatography
Исследовано влияние концентрации Gd на температурный и барический коэффициенты электросопротивления тонких поликристаллических пленок твердых растворов системы Sm 1-x Gd x S, где x=0, 0.05, 0.1, 0.2, 0.33 и 0.5. Пленки изготовлены методом взрывного испарения в вакууме порошков исходных соединений и седиментацией последних из газовой фазы на стеклянные подложки. Получены зависимости температурного alpha и барического beta коэффициентов электросопротивления, а также их отношения γ от концентрации x Gd в системе твердых растворов SmS-GdS, на основании которых определены оптимальные составы для изготовления тонкопленочных тензо- и барорезисторов. Ключевые слова: тензо- и барорезистор, содержание Sm и Gd, моносульфид самария, коэффициент электросопротивления.