Влияние разупорядочения тонких поверхностных слоев на электронные и оптические свойства Si (111)

Впервые изучены степень разупорядочения, толщина разупорядоченных слоев d и их влияние на ширину запрещенной зоны E g монокристаллического Si (111) при бомбардировке ионами Ar + . Показано, что значение d при энергиях ионов E 0 =1 и 2 кэВ составляет ~(100-120) и ~(150-160) Angstrem соответственно. При этом плотность состояний электронов валентной зоны Si (111) существенно изменяется, уменьшается коэффициент пропускания света до K= 55-60%, а значение E g увеличивается на ~10%. При бомбардировке ионами Ni + разупорядочение поверхности сопровождается резким изменением состава поверхностных слоев и вследствие этого K уменьшается до 5-10%. После прогрева при T=900 K формируются нанокристаллы (при дозах D≤10 15 см -2 ) и нанопленки NiSi 2 (D=6·10 16 см -2 ). Ключевые слова: ионная бомбардировка Si, электронные свойства, оптические свойства, тонкие слои, отжиг.