Si-легированные эпитаксиальые пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции

Представлены результаты исследований морфологии поверхности, электрофизических характеристик и фотолюминесцентных свойств эпитаксиальных плeнок GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs (110) и легированных кремнием. Серия исследуемых образцов была выращена при температуре 580 o С при отношении парциальных давлений мышьяка и галлия в диапазоне от 14 до 80. С помощью анализа спектров фотолюминесценции выращенных образцов интерпретировано поведение атомов кремния в GaAs с учeтом занятия ими узлов Ga или As (т. е. возникновение точечных дефектов Si Ga и Si As ), а также образования вакансий мышьяка и галлия V As и V Ga . При анализе спектры фотолюминесценции образцов на (110)-ориентированных подложках сравнивались со спектрами фотолюминесценции аналогичных образцов на (100)- и (111)A-ориентированных подложках. Ключевые слова: cпектроскопия фотолюминесценции, молекулярно-лучевая эпитаксия, GaAs, ориентация подложки (110), ориентация подложки (111)А, атомно-силовая микроскопия.