Получение гетероперехода Ge-GeS : Nd и исследование спектральной характеристики
Author(s) -
A. S. Alekperov,
А. О. Dashdemirov,
Н.А. Исмайылова,
С. Г. Джабаров
Publication year - 2020
Publication title -
физика и техника полупроводников
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2020.11.50085.9401
Subject(s) - radiochemistry , chemistry , materials science
Исследованы технология получения гетероперехода Ge-GeS : Nd, а также относительные спектральные характеристики квантовой эффективности полученного гетероперехода при разных дозах γ-облучения. Установлено, что при дозе облучения 30 крад фоточувствительность увеличивается в спектральном диапазоне 0.4-2.0 мкм. С увеличением дозы облучения до 100 крад фоточувствительность гетероперехода значительно уменьшается. Ключевые слова: слоистый монокристалл, гетеропереход, фоточувствительность, γ-излучение, квантовая эффективность, спектральная характеристика.
Accelerating Research
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom
Address
John Eccles HouseRobert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom