Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур alpha-Si/SiO-=SUB=-2-=/SUB=- и alpha-Ge/SiO-=SUB=-2-=/SUB=- на подложках p-Si, отожженных при разных температурах

Исследованы свойства многослойных наноструктур alpha-Si(Ge)/SiO 2 , осажденных на подложки p-Si и отожженных при разных температурах. Общая толщина нанослоя не превышала 300-350 нм. Обнаружено, что, несмотря на образование кристаллов в нанослое, в фотоэлектрических свойствах гетероперехода нанослой--подложка в исследованном диапазоне 300-900 нм не проявляется квантово-размерный эффект. В то же время эффективность фототока (А/Вт) в этом диапазоне становится постоянной. Полученные результаты мы объясняем малой толщиной нанослоя. При приложении достаточно большого запорного смещения электрическое поле перехода нанослой--подложка достигает внешней границы нанослоя, что резко уменьшает поверхностную рекомбинацию носителей. Именно эта рекомбинация обычно подавляет чувствительность фотодетекторов в коротковолновой области спектра. Постоянная в широком спектральном диапазоне эффективность исследованных гетероструктур делает их привлекательными для использования в различных фотоэлектрических приборах. Ключевые слова: многослойные наноструктуры, нанокристаллы полупроводника в диэлектрической матрице, нанослой, эффективность фототока.