Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора &#126;100 нм | Zendy

Е.А. Тарасова | Zendy; С.В. Оболенский | Zendy; C.В. Хазанова | Zendy; Н.Н. Григорьева | Zendy; О.Л. Голиков | Zendy; А.Б. Иванов | Zendy; А.С. Пузанов | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ~100 нм

Author(s) -

Е.А. Тарасова,

С.В. Оболенский,

C.В. Хазанова,

Н.Н. Григорьева,

О.Л. Голиков,

А.Б. Иванов,

А.С. Пузанов

Publication year - 2020

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - English

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2020.09.49841.35

Subject(s) - optoelectronics , transistor , materials science , field effect transistor , schottky diode , schottky barrier , velocity overshoot , voltage , electron , electrical engineering , physics , engineering , diode , quantum mechanics

The nonlinearity of the gate–drain current–voltage characteristics in classical Schottky transistors and two-dimensional electron gas field-effect transistors based on AlGaAs/InGaAs/GaAs and InGaAs/GaAs compounds is analyzed. The carrier velocity-overshoot effect in the transistor channel is analyzed for various doping profiles of the structures under study.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research