Роль структурных несовершенств графена в резонансном туннелировании через локализованные состояния в h-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур | Zendy

М.В. Григорьев | Zendy; Д.А. Казарян | Zendy; Е.Е. Вдовин | Zendy; Ю.Н. Ханин | Zendy; С.В. Морозов | Zendy; Kostya S. Novoselov | Zendy

Open Access

Роль структурных несовершенств графена в резонансном туннелировании через локализованные состояния в h-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур

Author(s) -

М.В. Григорьев,

Д.А. Казарян,

Е.Е. Вдовин,

Ю.Н. Ханин,

С.В. Морозов,

Kostya S. Novoselov

Publication year - 2020

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - English

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2020.03.49025.9249

Subject(s) - quantum tunnelling , graphene , van der waals force , heterojunction , materials science , plasma , condensed matter physics , layer (electronics) , nanotechnology , physics , quantum mechanics , molecule

Investigated resonant tunneling through defect levels in h-BN barrier van der Waals heterostructures. The effect of multiplication of tunnel resonances through these levels was found, due to the influence of a high degree of defectiveness of the structure of the neighboring layer of graphene, created by intentionally processing in plasma. Various mechanisms of such influence are discussed.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research