Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge-Sb-Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления | Zendy

Р.А. Кастро Арата | Zendy; В. М. Стожаров | Zendy; Д. М. Долгинцев | Zendy; А. А. Кононов | Zendy; Ю. Сайто | Zendy; Paul Fons | Zendy; Дж. Томинага | Zendy; Н. И. Анисимова | Zendy; Alexander V. Kolobov | Zendy

Open Access

Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge-Sb-Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления

Author(s) -

Р.А. Кастро Арата,

В. М. Стожаров,

Д. М. Долгинцев,

А. А. Кононов,

Ю. Сайто,

Paul Fons,

Дж. Томинага,

Н. И. Анисимова,

Alexander V. Kolobov

Publication year - 2020

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - English

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2020.02.48895.9287

Subject(s) - dielectric , materials science , permittivity , dielectric permittivity , dielectric loss , dielectric dispersion , relaxation (psychology) , dispersion (optics) , condensed matter physics , maxima , optics , optoelectronics , physics , psychology , social psychology , art , performance art , art history

The results of studying the structure and processes of dielectric relaxation in thin layers of Ge–Sb–Te are presented. The found permittivity dispersion and occurrence of dielectric-loss maxima in the low-frequency region are explained by the structural features of the compounds under study.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research