Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео-Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений | Zendy

А.С. Пузанов | Zendy; С.В. Оболенский | Zendy; В.А. Козлов | Zendy

Open Access

Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео-Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений

Author(s) -

А.С. Пузанов,

С.В. Оболенский,

В.А. Козлов

Publication year - 2018

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - English

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2018.11.46586.08

Subject(s) - non equilibrium thermodynamics , relaxation (psychology) , schottky diode , excitation , ionization , transient (computer programming) , physics , electron , momentum (technical analysis) , atomic physics , impact ionization , plasma , computational physics , materials science , diode , optoelectronics , ion , nuclear physics , thermodynamics , quantum mechanics , computer science , psychology , social psychology , finance , economics , operating system

The excitation-relaxation process in electron–hole plasma upon exposure to ionizing radiation for a time shorter than the relaxation time of the mobile carrier energy and momentum is considered. By the example of the calculation of transient ionization processes in a silicon hyperhigh-frequency Schottky diode, local-equilibrium and local-nonequilibrium carrier transport models are compared. It is shown that the local-nonequilibrium model features a wider field of application for describing fast relaxation processes.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research