Open AccessПодвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля delta-n-слоев
Author(s) -
Д.Ю. Протасов,
А. К. Бакаров,
A. I. Toropov,
Б.Я. Бер,
Д.Ю. Казанцев,
К. С. Журавлев
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.12.45187.8610
Subject(s) - delta , high electron mobility transistor , sigma , delta sigma modulation , file transfer protocol , physics , optoelectronics , computer science , transistor , quantum mechanics , operating system , voltage , astronomy , the internet , cmos
Исследовано влияние профиля распределения атомов кремния в донорных delta-слоях гетероструктур AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с донорно-акцепторным легированием на подвижность двумерного электронного газа. Параметры профилей delta-слоев определялись путем аппроксимации нормальным распределением пространственных распределений атомов кремния, измеренных методом вторичной ионной масс-спектроскопии. Показано, что соответствующим выбором условий роста значение стандартного отклонения sigma профиля delta-слоев было уменьшено с 3.4 до 2.5 нм. Измерения магнитополевых зависимостей эффекта Холла и проводимости позволили установить, что в результате такого уменьшения sigma подвижность двумерного электронного газа в гетероструктурах возросла на 4000 см 2 /В·с при 77 K и 600 см 2 /В·с при 300 K. Проведенный расчет подвижности с учетом заполнения двух первых подзон размерного квантования показал, что возрастание подвижности хорошо объясняется ослаблением кулоновского рассеяния на ионизированных донорах вследствие увеличения эффективной толщины спейсерного слоя при уменьшении значения sigma профиля delta-слоев. DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45187.8610