Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота | Zendy

П.А. Бушуйкин | Zendy; А.В. Новиков | Zendy; Б.А. Андреев | Zendy; Д.Н. Лобанов | Zendy; П.А. Юнин | Zendy; Е.В. Скороходов | Zendy; Л.В. Красильникова | Zendy; Е.В. Демидов | Zendy; Г.М. Савченко | Zendy; В.Ю. Давыдов | Zendy

Open Access

Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

Author(s) -

П.А. Бушуйкин,

А.В. Новиков,

Б.А. Андреев,

Д.Н. Лобанов,

П.А. Юнин,

Е.В. Скороходов,

Л.В. Красильникова,

Е.В. Демидов,

Г.М. Савченко,

В.Ю. Давыдов

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.12.45169.31

Subject(s) - computer science

Представлены результаты исследования спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN с концентрацией свободных носителей 10 18 -10 19 см -3 , сформированных в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Спектры фотопроводимости, фотолюминесценции и поглощения демонстрируют сдвиг красной границы межзонных переходов в соответствии с эффектом Бурштейна-Мосса для n-InN с различной концентрацией равновесных электронов. Для исследованных образцов наблюдалась абсолютная отрицательная фотопроводимость с наносекундным временем релаксации. Результаты фотоэлектрических, абсорбционных и люминесцентных спектроскопических экспериментов сопоставлены с технологическими параметрами и данными электронной микроскопии. DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45169.31

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research