Open AccessОсобенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
Author(s) -
П.А. Бушуйкин,
А.В. Новиков,
Б.А. Андреев,
Д.Н. Лобанов,
П.А. Юнин,
Е.В. Скороходов,
Л.В. Красильникова,
Е.В. Демидов,
Г.М. Савченко,
В.Ю. Давыдов
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.12.45169.31
Subject(s) - computer science
Представлены результаты исследования спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN с концентрацией свободных носителей 10 18 -10 19 см -3 , сформированных в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Спектры фотопроводимости, фотолюминесценции и поглощения демонстрируют сдвиг красной границы межзонных переходов в соответствии с эффектом Бурштейна-Мосса для n-InN с различной концентрацией равновесных электронов. Для исследованных образцов наблюдалась абсолютная отрицательная фотопроводимость с наносекундным временем релаксации. Результаты фотоэлектрических, абсорбционных и люминесцентных спектроскопических экспериментов сопоставлены с технологическими параметрами и данными электронной микроскопии. DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45169.31