XXI Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy -=SUP=-*-=/SUP=- | Zendy

И.В. Штром | Zendy; Н.В. Сибирев | Zendy; Е.В. Убыйвовк | Zendy; Ю.Б. Самсоненко | Zendy; А.И. Хребтов | Zendy; Р.Р. Резник | Zendy; А.Д. Буравлев | Zendy; Г.Э. Цырлин | Zendy

Open Access

XXI Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy -=SUP=-*-=/SUP=-

Author(s) -

И.В. Штром,

Н.В. Сибирев,

Е.В. Убыйвовк,

Ю.Б. Самсоненко,

А.И. Хребтов,

Р.Р. Резник,

А.Д. Буравлев,

Г.Э. Цырлин

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.12.45167.27

Subject(s) - file transfer protocol , physics , materials science , computer science , operating system , the internet

Представлено теоретическое и экспериментальное описание синтеза нитевидных нанокристаллов GaP методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111) с использованием золота в качестве катализатора. Отношение потоков осаждаемых материалов и температура подложки кратковременно изменялись в процессе синтеза нитевидных нанокристаллов с целью исследования возможности создания наноразмерных включений различных политипов. Установлено, что изменения отношений потоков осаждаемых материалов и температуры роста приводят к контролируемому образованию включений толщиной в несколько нанометров, в том числе с кубической кристаллической структурой. DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45167.27

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research