Open AccessАнализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия
Author(s) -
Е. А. Тарасова,
C.B. Оболенский,
Oleg E. Galkin,
A.B. Хананова,
A. B. Makarov
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.11.45108.22
Subject(s) - high electron mobility transistor , optoelectronics , materials science , electrical engineering , transistor , engineering , voltage
Предложен метод математической обработки результатов измерений вольт-фарадных характеристик HEMT AlGaN/GaN до и после gamma-нейтронного облучения с флюенсом 0.4·10 14 cм -2 . Описаны результаты физико-топологического моделирования HEMT AlGaN/GaN на подложке SiC. Определена погрешность расчета параметров GaN-HEMT, обусловленная погрешностью вычисления профиля распределения электронов. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45108.22