Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия | Zendy

Е. А. Тарасова | Zendy; C.B. Оболенский | Zendy; Oleg Evgenjevich Galkin | Zendy; A.B. Хананова | Zendy; A. B. Makarov | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия

Author(s) -

Е. А. Тарасова,

C.B. Оболенский,

Oleg Evgenjevich Galkin,

A.B. Хананова,

A. B. Makarov

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.11.45108.22

Subject(s) - high electron mobility transistor , optoelectronics , materials science , electrical engineering , transistor , engineering , voltage

Предложен метод математической обработки результатов измерений вольт-фарадных характеристик HEMT AlGaN/GaN до и после gamma-нейтронного облучения с флюенсом 0.4·10 14 cм -2 . Описаны результаты физико-топологического моделирования HEMT AlGaN/GaN на подложке SiC. Определена погрешность расчета параметров GaN-HEMT, обусловленная погрешностью вычисления профиля распределения электронов. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45108.22

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research