Open AccessЕмкостная спектроскопия дырочных ловушек в высокоомных структурах арсенида галлия, выращенных жидкофазным методом
Author(s) -
А.В. Мурель,
В.Б. Шмагин,
В.Л. Крюков,
С.С. Стрельченко,
Е.А. Суровегина,
В.И. Шашкин
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.11.45107.21
Subject(s) - nuclear chemistry , chemistry , materials science
В выращенных методом жидкофазной эпитаксии GaAs-структурах с дырочным типом проводимости методами емкостной спектроскопии (адмиттанс-спектроскопии и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней) обнаружены три глубоких акцепторных уровня с энергиями активации ~0.7, ~0.41 и ~0.16 эВ. Первые два уровня известны как HL2, HL5 и связываются с особенностями роста слоев GaAs методом жидкофазной эпитаксии. Они являются эффективными рекомбинационными центрами, определяющими обратные токи в p-i-n-диодах, что подтверждается изучением температурных зависимостей обратных токов. Уровень с энергией E v +0.16 эВ может быть связан с двухзарядным акцепторным уровнем собственного антиструктурного дефекта Ga As , который в однозарядном состоянии определяет уровень легирования структур. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45107.21