Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур | Zendy

С.М. Планкина | Zendy; О.В. Вихрова | Zendy; Б.Н. Звонков | Zendy; А.В. Нежданов | Zendy; И.Ю. Пашенькин | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур

Author(s) -

С.М. Планкина,

О.В. Вихрова,

Б.Н. Звонков,

А.В. Нежданов,

И.Ю. Пашенькин

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.11.45101.15

Subject(s) - materials science

Показана возможность комплексного применения фотолюминесценции и спектроскопии комбинационного рассеяния в режиме латерального сканирования поперечных сколов гетероструктур для контроля распределения напряжений, определения толщины эпитаксиальных слоев и состава твердых растворов. Указанным способом исследованы свойства лазерной гетероструктуры с квантовыми ямами InGaAs/GaAsP. Продемонстрирована возможность дифференцированно регистрировать фотолюминесцентное излучение от различных слоев структуры. Установлено, что определение состава твердого раствора In x Ga 1-x P по частотному положению InP-подобной моды и по энергии фотолюминесценции дает близкие значения. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45101.15

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research