Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов | Zendy

И.Ю. Забавичев | Zendy; Е.С. Оболенская | Zendy; А. А. Потехин | Zendy; А. С. Пузанов | Zendy; С. В. Оболенский | Zendy; В. А. Козлов | Zendy

Open Access

Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов

Author(s) -

И.Ю. Забавичев,

Е.С. Оболенская,

А. А. Потехин,

А. С. Пузанов,

С. В. Оболенский,

В. А. Козлов

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.11.45096.10

Subject(s) - optoelectronics , materials science , gallium arsenide

Проведен расчет распределений радиусов и расстояний между ядрами субкластеров радиационных дефектов в Si, GaAs и GaN. Обсуждаются особенности транспорта горячих носителей заряда в облученных нейтронами материалах. Впервые рассчитан всплеск скорости электронов в Si, GaAs, InGaAs и GaN до и после радиационного воздействия и проведено сравнение силы проявления указанного эффекта в различных полупроводниковых материалах. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45096.10

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research