Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs | Zendy

Aleksey Gorshkov | Zendy; Н. С. Волкова | Zendy; P. G. Voronin | Zendy; А. В. Здоровейщев | Zendy; Л.А. Истомин | Zendy; Д. А. Павлов | Zendy; Ю.В. Усов | Zendy; S. Levichev | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs

Author(s) -

Aleksey Gorshkov,

Н. С. Волкова,

P. G. Voronin,

А. В. Здоровейщев,

Л.А. Истомин,

Д. А. Павлов,

Ю.В. Усов,

S. Levichev

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.11.45088.02

Subject(s) - file transfer protocol , materials science , optoelectronics , computer science , world wide web , the internet

Заращивание массива самоорганизованных квантовых точек InAs/GaAs слоем квантовой ямы InGaAs приводит к увеличению их размера за счет обогащения области вблизи вершины квантовых точек индием, что уменьшает энергию основного оптического перехода в квантовых точках на 50 мэВ и смещает волновую функцию дырки по направлению к вершине квантовой точки. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45088.02

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research