Open AccessВлияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs
Author(s) -
А. П. Горшков,
Н. С. Волкова,
P. G. Voronin,
А. В. Здоровейщев,
Л. А. Истомин,
Dmitry Pavlov,
Ю.В. Усов,
S. Levichev
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.11.45088.02
Subject(s) - file transfer protocol , materials science , optoelectronics , computer science , world wide web , the internet
Заращивание массива самоорганизованных квантовых точек InAs/GaAs слоем квантовой ямы InGaAs приводит к увеличению их размера за счет обогащения области вблизи вершины квантовых точек индием, что уменьшает энергию основного оптического перехода в квантовых точках на 50 мэВ и смещает волновую функцию дырки по направлению к вершине квантовой точки. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45088.02