z-logo
open-access-imgOpen Access
XXI Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP
Author(s) -
Б. Н. Звонков,
Н.В. Байдусь,
С.М. Некоркин,
О. В. Вихрова,
А. В. Здоровейщев,
А. В. Кудрин,
В.Е. Котомина
Publication year - 2017
Publication title -
физика и техника полупроводников
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.11.45087.01
Subject(s) - materials science , optoelectronics
Показана возможность создания тиристорных структур с внешним оптическим управлением лазерным излучением с длиной волны ~800 нм на основе монокристаллических пластин полуизолирующего GaAs и слоев согласованного по параметру решетки с GaAs твердого раствора InGaP. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45087.01

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.
Having issues? You can contact us here
Accelerating Research

Address

John Eccles House
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom