Open AccessXXI Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP
Author(s) -
Б. Н. Звонков,
Н.В. Байдусь,
С.М. Некоркин,
О. В. Вихрова,
А. В. Здоровейщев,
А. В. Кудрин,
В.Е. Котомина
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.11.45087.01
Subject(s) - materials science , optoelectronics
Показана возможность создания тиристорных структур с внешним оптическим управлением лазерным излучением с длиной волны ~800 нм на основе монокристаллических пластин полуизолирующего GaAs и слоев согласованного по параметру решетки с GaAs твердого раствора InGaP. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45087.01