z-logo
open-access-imgOpen Access
Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs
Author(s) -
Д.Л. Алфимова,
Л.С. Лунин,
M.Л. Лунина,
Д.А. Арустамян,
A.E. Казакова,
C.H. Чеботарев
Publication year - 2017
Publication title -
физика и техника полупроводников
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.10.45025.8511
Subject(s) - file transfer protocol , materials science , computer science , optoelectronics , operating system , the internet
Обсуждаются результаты выращивания изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs. Исследованы состав, кристаллическое качество и люминесцентные свойства гетероструктур. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45025.8511

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.
Having issues? You can contact us here
Accelerating Research

Address

John Eccles House
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom