Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb | Zendy

Н. В. Дикарева | Zendy; Б. Н. Звонков | Zendy; О. В. Вихрова | Zendy; С. М. Некоркин | Zendy; В.Я. Алешкин | Zendy; А. А. Дубинов | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb

Author(s) -

Н. В. Дикарева,

Б. Н. Звонков,

О. В. Вихрова,

С. М. Некоркин,

В.Я. Алешкин,

А. А. Дубинов

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.10.45022.8580

Subject(s) - materials science , optoelectronics , gallium arsenide

Представлены результаты исследования GaAsSb/GaAs/InGaP лазерной структуры, выращенной методом МОС-гидридной эпитаксии. Получена устойчивая двухполосная генерация, обусловленная прямыми и непрямыми в пространстве оптическими переходами. Наблюдение суммарной частоты продемонстрировало эффективное внутрирезонаторное смешение мод в полупроводниковых лазерах такого типа. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45022.8580

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research