Open AccessДвухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb
Author(s) -
Н. В. Дикарева,
Б. Н. Звонков,
О. В. Вихрова,
С. М. Некоркин,
В.Я. Алешкин,
А. А. Дубинов
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.10.45022.8580
Subject(s) - materials science , optoelectronics , gallium arsenide
Представлены результаты исследования GaAsSb/GaAs/InGaP лазерной структуры, выращенной методом МОС-гидридной эпитаксии. Получена устойчивая двухполосная генерация, обусловленная прямыми и непрямыми в пространстве оптическими переходами. Наблюдение суммарной частоты продемонстрировало эффективное внутрирезонаторное смешение мод в полупроводниковых лазерах такого типа. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45022.8580