Критерий сильной локализации на поверхности полупроводника в приближении Томаса-Ферми | Zendy

В.Б. Бондаренко | Zendy; A. V. Filimonov | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Критерий сильной локализации на поверхности полупроводника в приближении Томаса-Ферми

Author(s) -

В.Б. Бондаренко,

A. V. Filimonov

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.10.45015.8507

Subject(s) - computer science

Исследуется характер локализации двумерного электронного газа на поверхности сильно легированного полупроводника, в области пространственного заряда которого проявляется естественный размерный эффект. Из теоретического анализа рассеяния низкоэнергетичных электронов на сформированном на поверхности сосредоточенным зарядом ионизованной примеси хаотическом потенциале определена длина свободного пробега носителя. На основе правила Иоффе-Регеля получен критерий сильной локализации в указанной двумерной электронной системе. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45015.8507

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research