Open AccessКритерий сильной локализации на поверхности полупроводника в приближении Томаса-Ферми
Author(s) -
В.Б. Бондаренко,
А.В. Филимонов
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.10.45015.8507
Subject(s) - computer science
Исследуется характер локализации двумерного электронного газа на поверхности сильно легированного полупроводника, в области пространственного заряда которого проявляется естественный размерный эффект. Из теоретического анализа рассеяния низкоэнергетичных электронов на сформированном на поверхности сосредоточенным зарядом ионизованной примеси хаотическом потенциале определена длина свободного пробега носителя. На основе правила Иоффе-Регеля получен критерий сильной локализации в указанной двумерной электронной системе. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45015.8507