Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In-=SUB=-x-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-=/SUB=-As (x>0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения

Приведены результаты исследований электрических и тепловых свойств фотопроводящих антенн для генерации терагерцового излучения на основе выращенного в низкотемпературном режиме GaAs (low-temperature grown GaAs, LT-GaAs) и In x Ga 1-x As c повышенным содержанием индия (x>0.3). Показано, что мощность джоулева разогрева P H за счет влияния темнового тока в In x Ga 1-x As в 3-5 раз превосходит аналогичную величину для LT-GaAs. Это обусловлено большой собственной проводимостью In x Ga 1-x As при x>0.38. Была разработана и изготовлена теплоотводящая оснастка для фотопроводящей антенны. Результаты численного моделирования показали, что использование теплоотвода позволяет уменьшить рабочую температуру антенны на 16% для антенны на основе LT-GaAs на 40% для антенны на основе In 0.38 Ga 0.62 As и на 64% для антенны на основе In 0.53 Ga 0.47 As. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44893.8508