Open AccessЭлектрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In-=SUB=-x-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-=/SUB=-As (x>0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения
Author(s) -
Д. С. Пономарев,
Р. А. Хабибуллин,
А.Э. Ячменев,
А.Ю. Павлов,
Д.Н. Слаповский,
И.А. Глинский,
D. V. Lavrukhin,
Olga Ruban,
P. P. Maltsev
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.09.44893.8508
Subject(s) - gallium arsenide , crystallography , materials science , chemistry , analytical chemistry (journal) , optoelectronics , chromatography
Приведены результаты исследований электрических и тепловых свойств фотопроводящих антенн для генерации терагерцового излучения на основе выращенного в низкотемпературном режиме GaAs (low-temperature grown GaAs, LT-GaAs) и In x Ga 1-x As c повышенным содержанием индия (x>0.3). Показано, что мощность джоулева разогрева P H за счет влияния темнового тока в In x Ga 1-x As в 3-5 раз превосходит аналогичную величину для LT-GaAs. Это обусловлено большой собственной проводимостью In x Ga 1-x As при x>0.38. Была разработана и изготовлена теплоотводящая оснастка для фотопроводящей антенны. Результаты численного моделирования показали, что использование теплоотвода позволяет уменьшить рабочую температуру антенны на 16% для антенны на основе LT-GaAs на 40% для антенны на основе In 0.38 Ga 0.62 As и на 64% для антенны на основе In 0.53 Ga 0.47 As. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44893.8508