Мощные оптоэлектронные коммутаторы нано- и пикосекундного диапазона на основе высоковольтных кремниевых структур с p-n-переходами. I. Физика процесса переключения | Zendy

А.С. Кюрегян | Zendy

Open Access

Мощные оптоэлектронные коммутаторы нано- и пикосекундного диапазона на основе высоковольтных кремниевых структур с p-n-переходами. I. Физика процесса переключения

Author(s) -

А.С. Кюрегян

Publication year - 2017

Publication title -

физика и техника полупроводников

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7315

pISSN - 0015-3222

DOI - 10.21883/ftp.2017.09.44891.8494

Subject(s) - file transfer protocol , computer science , operating system , the internet

Впервые проведено численное моделирование процесса переключения высоковольтных кремниевых фотодиодов, фототранзисторов и фототиристоров под действием квазиоднородного по площади освещения пикосекундными лазерными импульсами. Анализ результатов позволил получить эмпирические" соотношения между основными параметрами коммутаторов (энергией управляющих импульсов, коэффициентом поглощения излучения, площадью структур) и параметрами, характеризующими переходный процесс переключения в цепи с активной нагрузкой. Для некоторых из этих соотношений выведены приближенные аналитические формулы, хорошо описывающие результаты моделирования. Отмечено, что различия между процессами коммутации в трех типах структур проявляются только при больших длительностях импульсов на заключительной стадии, когда восстанавливается блокирующая способность фотодиодов и фототранзисторов. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44891.8494

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research