Open AccessГенерация поверхностных электронных состояний на границе раздела кремний-сверхтонкий окисел в процессе полевого повреждения структур металл-окисел-полупроводник
Author(s) -
Е.И. Гольдман,
С.А. Левашов,
В.Г. Нарышкина,
Г.В. Чучева
Publication year - 2017
Publication title -
fizika i tehnika poluprovodnikov
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2017.09.44881.8512
Subject(s) - computer science
Проведены измерения высокочастотных вольт-фарадных характеристик структур металл-окисел-полупроводник (МОП) на n-Si-МОП подложках с толщиной окисла 39 Angstrem, подвергнутых повреждению при полевом стрессе. Показано, что воздействие на сверхтонкий изолирующий слой сильного, но допробойного, электрического поля приводит к образованию большого числа дополнительных пограничных локализованных электронных состояний с уровнем, отстоящим от дна зоны проводимости кремния на 0.14 эВ. Обнаружено, что перезарядка вновь образованных центров с ростом полевого напряжения обеспечивает накопление у границы раздела кремний-окисел избыточного заряда до 8·10 12 см -2 . Время жизни, рожденных при полевом воздействии, локальных центров составляет двое суток; после этого зависимости заряда, локализованного на границе раздела полупроводник-диэлектрик, от напряжения на затворе в состояниях до стресса и после стресса практически совпадают. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44881.8512